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    AO4924 参数 Datasheet PDF下载

    AO4924图片预览
    型号： AO4924
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非对称双N沟道增强型场效应晶体管 [Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 158 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AO4924的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AO4924的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO4924的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO4924的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO4924的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AO4924的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AO4924的Datasheet PDF文件第7页  
    AO4924
    FET2典型的电和热性能
    5
    4
    V
    GS
    （伏）
    3
    2
    1
    200
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    Q
    g
    （ NC ）
    图7 ：栅极电荷特性
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    V
    DS
    （伏）
    图8 ：电容特性
    1400
    V
    DS
    =15V
    I
    D
    =7.3A
    电容（pF）
    1200
    1000
    800
    600
    400
    C
    RSS
    C
    OSS
    C
    国际空间站
    100.00
    10µs
    10.00
    I
    D
    （安培）
    100µs
    功率（W）的
    R
    DS （ ON）
    有限
    10s
    DC
    T
    J（下最大）
    =150°C
    T
    A
    =25°C
    0.1
    1
    V
    DS
    （伏）
    10
    100
    1ms
    1s
    50
    40
    30
    20
    10
    0
    0.0001 0.001
    0.01
    0.1
    1
    T
    J（下最大）
    =150°C
    T
    A
    =25°C
    1.00
    0.10
    0.01
    0.01
    10
    100
    1000
    图9 ：最大正向偏置安全
    工作区（注五）
    脉冲宽度（S ）
    图10 ：单脉冲功率额定值结点到
    环境（注E）
    10
    Z
    θJA
    归一化瞬时
    热阻
    按降序排列
    D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
    1
    0.1
    on
    P
    D
    本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
    D = T / T
    0.01
    T
    Ĵ ，PK
    =T
    A
    +P
    DM
    .Z
    θJA
    .R
    θJA
    T
    on
    OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
    R
    θJA
    =90°C/W
    T
    单脉冲
    性能和可靠性，恕不另行通知。
    0.001
    0.00001
    0.0001
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    1000
    脉冲宽度（S ）
    图11 ：归最大瞬态热阻抗
    阿尔法&欧米茄半导体有限公司

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