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    AO4918A 参数 Datasheet PDF下载

    AO4918A图片预览
    型号： AO4918A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非对称双N沟道增强型场效应晶体管 [Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 150 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AO4918A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO4918A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO4918A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO4918A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AO4918A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AO4918A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AO4918A的Datasheet PDF文件第8页  
    AO4918A
    非对称双N沟道增强型场效应
    晶体管
    概述
    该AO4918A采用先进的沟槽技术
    提供了优秀的研发
    DS （ ON）
    和低栅极电荷。该
    两个MOSFET进行紧凑和高效的开关
    和同步整流器组合中使用的直流
    DC转换器。肖特基二极管共同封装在
    与同步MOSFET并联，以提高
    效率进一步。
    AO4918A是Pb-free （符合ROHS
    &索尼259规格） 。 AO4918AL是绿色
    产品订购选项。 AO4918A和AO4918AL
    是电相同。
    特点
    Q1
    V
    DS
    (V) = 30V
    I
    D
    = 9.3A
    R
    DS （ ON）
    < 14.5mΩ
    R
    DS （ ON）
    < 16mΩ
    Q2
    V
    DS
    (V) = 30V
    I
    D
    =8.5A
    <18mΩ
    (V
    GS
    = 10V)
    <27mΩ
    (V
    GS
    = 4.5V)
    肖特基
    V
    DS
    （V ） = 30V ，我
    F
    = 3A ，V
    F
    <0.5V@1A
    D1
    D2
    D2
    G1
    S1/A
    1
    2
    3
    4
    8
    7
    6
    5
    G2
    D1/S2/K
    D1/S2/K
    D1/S2/K
    K
    D2
    Q1
    G1
    S1
    A
    Q2
    G2
    S2
    SOIC-8
    绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
    A
    参数
    符号
    V
    DS
    漏源电压
    V
    GS
    栅源电压
    连续漏极
    T
    A
    =25°C
    A
    当前
    T
    A
    =70°C
    I
    D
    漏电流脉冲
    B
    最大Q1
    30
    ±12
    9.3
    7.4
    40
    2
    1.28
    -55到150
    最大Q2
    30
    ±20
    8.5
    6.7
    30
    2
    1.28
    -55到150
    单位
    V
    V
    A
    I
    DM
    T
    A
    =25°C
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    符号
    V
    DS
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =70°C
    B
    T
    A
    =70°C
    功耗
    结温和存储温度范围
    参数
    反向电压
    连续向前
    当前
    A
    W
    °C
    单位
    V
    A
    最大肖特基
    30
    3
    2.2
    20
    2
    1.28
    -55到150
    I
    F
    I
    FM
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    脉冲二极管正向电流
    功耗
    A
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =70°C
    结温和存储温度范围
    W
    °C
    阿尔法&欧米茄半导体有限公司

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