AO4912
非对称双N沟道增强型场效应
晶体管
概述
该AO4912采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。两
的MOSFET使一个紧凑和高效的开关和
同步整流器的组合为在DC-DC使用
转换器。肖特基二极管共同封装在并行
与同步MOSFET ，以进一步提高效率
标准产品AO4912是Pb-free （符合ROHS &
索尼259规格） 。 AO4912L是一个绿色产品
订购选项。 AO4912和AO4912L是电
相同的。
特点
Q1
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 8.5A
R
DS （ ON）
< 17mΩ
R
DS （ ON）
< 25MΩ
Q2
V
DS
(V) = 30V
I
D
=7A
(V
GS
= 10V)
<26mΩ
(V
GS
= 10V)
<31mΩ
(V
GS
= 4.5V)
肖特基
V
DS
（V ） = 30V ，我
F
= 3A ，V
F
<0.5V@1A
D1
D2
D2
G1
S1/A
1
2
3
4
8
7
6
5
G2
D1/S2/K
D1/S2/K
D1/S2/K
K
D2
Q1
G1
S1
A
Q2
G2
S2
SOIC-8
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
A
当前
漏电流脉冲
B
最大Q1
30
±20
8.5
6.8
40
2
1.28
-55到150
最大Q2
30
±12
7
6.4
30
2
1.28
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
参数
反向电压
连续向前
A
当前
T
A
=25°C
T
A
=70°C
B
W
°C
单位
V
A
最大肖特基
30
3
2.2
20
2
1.28
-55到150
I
F
I
FM
P
D
T
J
, T
英镑
脉冲二极管正向电流
功耗
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
W
°C
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