AO4904
双N沟道增强型场效应晶体管
与肖特基二极管
概述
该AO4904采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。两
的MOSFET使一个紧凑和高效的开关和
同步整流器的组合为在DC-DC使用
转换器。肖特基二极管共同封装在并行
与同步MOSFET ，以进一步提高效率
标准产品AO4904是Pb-free （符合ROHS &
索尼259规格） 。 AO4904L是一个绿色产品
订购选项。 AO4904和AO4904L是电
相同的。
S2
G2
S1/A
G1
D2
D2
D1/K
D1/K
G1
S1
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 6.9A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 27mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 32mΩ （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 50mΩ以下（V
GS
= 2.5V)
肖特基
V
DS
（V ） = 30V ，我
F
= 3A ，V
F
=0.5V@1A
D1
K
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
SOIC-8
A
G2
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
T
A
=25°C
连续漏电流
漏电流脉冲
B
肖特基反向电压
T
A
=25°C
连续正向电流
脉冲正向电流
B
T
A
=25°C
功耗
结温和存储温度范围
参数：热特性MOSFET
A
t
≤
10s
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
热特性肖特基
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
C
最大结对铅
A
A
A
MOSFET
30
±12
6.9
5.8
40
肖特基
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=70°C
I
D
I
DM
V
KA
T
A
=70°C
I
F
I
FM
T
A
=70°C
P
D
T
J
, T
英镑
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
30
3
2
2
1.44
-55到150
典型值
48
74
35
47.5
71
32
40
2
1.44
-55到150
最大
62.5
110
40
62.5
110
40
V
A
W
°C
单位
° C / W
稳态
稳态
t
≤
10s
稳态
稳态
° C / W
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