AO4842L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4842L
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内容描述：	[Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 130 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4842

双N沟道增强型场效应晶体管

概述

该AO4842采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和低栅极电荷。该

两个MOSFET进行紧凑和高效的开关

和同步整流器组合使用

降压转换器。

AO4842是Pb-free （符合ROHS

&索尼259规格）。 AO4842L是绿色

产品订购选项。 AO4842和AO4842L

是电相同。

特点

(V) = 30V

= 7.5A

= 10V)

DS （ ON）

< 22MΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

< 35mΩ （V

= 4.5V)

SOIC-8

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

±20

7.5

6.4

1.44

-55到150

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

62.5

110

单位

° C / W

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