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型号: AO4836
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 119 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4836
双N沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO4836采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。该
两个MOSFET进行紧凑和高效的开关
和同步整流器组合使用
降压转换器。这是ESD保护。
AO4836是有铅
免费(符合ROHS &索尼259规格) 。
AO4836L是一个绿色产品订购选项。
AO4836和AO4836L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 7.2A
R
DS ( ON)
< 24mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 40MΩ (V
GS
= 4.5V)
ESD等级: 1500V ( HBM )
D1
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
D2
G1
S1
G2
S2
SOIC-8
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
T
A
=25°C
A
当前
I
D
T
A
=70°C
漏电流脉冲
B
最大
30
±20
7.2
6.1
30
2
1.44
-55到150
单位
V
V
A
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
=25°C
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
W
°C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
55
92
37
最大
62.5
110
50
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司