AO4830 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4830
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内容描述：	80V双N沟道MOSFET [80V Dual N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 188 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4830

80V双N沟道MOSFET

概述

该AO4830采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和低栅极电荷。这

装置适合于用作负载开关或以PWM

应用程序。

产品概述

(V) = 80V

= 3.5A

DS （ ON）

< 75mΩ

= 10V)

100 ％ UIS测试

100 ％通过Rg测试

SOIC-8

顶视图

底部视图

顶视图

Pin1

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

最大

±30

3.5

2.9

12.8

1.3

-55到150

单位

=25°

=70°

, T

英镑

重复雪崩能量L = 0.1mH

=25°

功耗

=70°

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

A D

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

62.5

单位

C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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