AO4826_10 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4826_10
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	60V双N沟道MOSFET [60V Dual N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 170 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4826

60V双N沟道MOSFET

概述

该AO4826采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和低栅极电荷。这

装置适合于用作负载开关或以PWM

应用程序。

产品概述

(V) = 60V

= 6.3A （V

= 10V)

DS （ ON）

< 25MΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

30mΩ到< （V

= 4.5V)

100 ％ UIS测试

100 ％通过Rg测试

SOIC-8

顶视图

底部视图

顶视图

Pin1

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

±20

6.3

1.28

-55到150

单位

=25°

=70°

=25°

=70°

, T

英镑

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

62.5

110

单位

C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案