AO4822_11 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4822_11
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内容描述：	30V双N沟道MOSFET [30V Dual N-channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 304 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4822

30V

双N沟道MOSFET

概述

该AO4822采用先进的沟槽技术，提供

优良的RDS （ON ）和低栅极电荷。该装置是

适合用作负载开关或PWM应用。

产品概述

（在V

=10V)

DS （ ON）

（在V

=10V)

DS （ ON）

（在V

= 4.5V)

ESD保护

100 ％ UIS测试

100% R

经过测试

30V

<19mΩ

< 26mΩ

SOIC-8

顶视图

底部视图

顶视图

Pin1

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

最大

±20

6.5

1.3

-55到150

单位

=25°

=70°

, I

, E

, T

英镑

雪崩能量L = 0.1mH

=25°

功耗

=70°

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

A D

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

62.5

单位

C / W

第5版： 2011年3月

www.aosmd.com

第1页6

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