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AO4821_10 参数 Datasheet PDF下载

AO4821_10图片预览
型号: AO4821_10
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内容描述: 双路12V P沟道MOSFET [12V Dual P-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 266 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4821
双路12V P沟道MOSFET
概述
该AO4821采用先进的沟槽技术,提供
优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和操作门
电压低至1.8V 。这个装置是适合于用作
一个负载开关。
产品概述
V
DS
I
D
(在V
GS
=-4.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-4.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-2.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-1.8V)
-12V
-9A
< 19MΩ
< 24mΩ
30mΩ到<
100 % UIS测试
100 %通过Rg测试
SOIC-8
顶视图
底部视图
顶视图
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
G1
D1
D1
Rg
D1
1
D2
Rg
G2
S1
Pin1
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
功耗
B
C
最大
-12
±8
-9
-7
-60
2
1.28
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
32
最大
62.5
90
40
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
启4 : 2010年11月
www.aosmd.com
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