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AO4818_11 参数 Datasheet PDF下载

AO4818_11图片预览
型号: AO4818_11
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内容描述: 30V双N沟道MOSFET [30V Dual N-channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 212 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4818
典型的电气和热特性
10
1200
V
DS
=15V
I
D
=8A
电容(pF)
1000
C
国际空间站
800
600
400
C
OSS
200
0
0
5
10
15
0
0
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
C
RSS
15
20
25
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
8
V
GS
(伏)
6
4
2
100
I
AR
(A )峰值雪崩电流
T
A
=25°
C
1000.0
100.0
10µs
T
A
=100°
C
I
D
(安培)
T
A
=150°
C
10
10.0
1.0
0.1
0.0
R
DS ( ON)
有限
100µs
1ms
10ms
T
A
=125°
C
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
DC
10s
1
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
在雪崩时间t
A
(s)
图9 :单脉冲雪崩能力(注
C)
0.01
0.1
1
V
DS
(伏)
10
100
图10 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
10000
T
A
=25°
C
1000
功率(W)的
100
10
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度(S )
图11 :单脉冲功率额定值结到环境(注F)
第七版: 2011年2月
www.aosmd.com
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