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AO4815_10 参数 Datasheet PDF下载

AO4815_10图片预览
型号: AO4815_10
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内容描述: 双路30V P沟道MOSFET [30V Dual P-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 174 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4815
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-15V
I
D
=-8A
8
电容(pF)
-V
GS
(伏)
3000
2500
2000
1500
C
OSS
1000
500
0
0
5
20
25
30
35
40
-Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
10
15
45
0
15
20
25
-V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
C
RSS
C
国际空间站
6
4
2
0
100.0
10µs
10.0
I
D
(安培)
100µ
10ms
1s
1.0
R
DS ( ON)
有限
10s
DC
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.0
0.1
1
10
100
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区( NoteE )
0.1s
1ms
功率(W)的
40
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
30
20
0.1
10
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
P
D
性能和可靠性,恕不另行通知。
0.1
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
0.001
0.01
100
1000
T
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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