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AO4813_11 参数 Datasheet PDF下载

AO4813_11图片预览
型号: AO4813_11
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内容描述: 双路30V P沟道MOSFET [30V Dual P-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 286 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4813
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-15V
I
D
=-7.1A
8
电容(pF)
-V
GS
(伏)
1600
1400
1200
1000
800
600
C
OSS
400
2
200
0
0
10
15
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
T
A
=25°
C
T
A
=100°
C
C
国际空间站
6
4
0
5
20
0
C
RSS
15
20
25
-V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
100
-I
AR
(A )峰值雪崩电流
100.0
T
A
=150°
C
10.0
10
T
A
=125°
C
-I
D
(安培)
R
DS ( ON)
有限
10µs
100µs
1ms
10ms
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
1.0
0.1
10s
DC
10
100
1
1
10
100
1000
在雪崩时间t
A
(µs)
µ
图9 :单脉冲雪崩能力(注
C)
0.0
0.01
0.1
1
-V
DS
(伏)
图10 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
10000
T
A
=25°
C
1000
功率(W)的
100
10
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度(S )
图11 :单脉冲功率额定值结到环境(注F)
第9版: 2011年4月
www.aosmd.com
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