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AO4812_11 参数 Datasheet PDF下载

AO4812_11图片预览
型号: AO4812_11
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内容描述: 30V双N沟道MOSFET [30V Dual N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 261 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4812
典型的电气和热特性
30
10V
25
20
4V
I
D
(A)
15
3.5V
10
5
0
0
2
3
4
V
DS
(伏)
图1 :在区域特性(注五)
1
5
V
GS
=3V
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性(注五)
1.8
归一化的导通电阻
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
9
12
15
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压(注五)
3
6
0
25
50
75
100
125
150
175
5
125°
C
25°
C
I
D
(A)
7V
4.5V
10
15
V
DS
=5V
40
35
R
DS ( ON)
(m
)
V
GS
=4.5V
30
V
GS
=10V
I
D
=6A
25
V
GS
=10V
20
17
5
2
V
GS
=4.5V
10
I = 5A
D
0
温度( δ
C)
图4 :导通电阻与结温
18
(注五)
1.0E+02
100
I
D
=6A
1.0E+01
80
R
DS ( ON)
(m
)
I
S
(A)
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
25°
C
20
2
4
6
8
10
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
(注五)
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的特性(注五)
125°
C
25°
C
40
60
125°
C
40
第9版: 2011年2月
www.aosmd.com
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