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AO4806 参数 Datasheet PDF下载

AO4806图片预览
型号: AO4806
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 116 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4806
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±10V
V
DS
= 0V时,我
G
=±250uA
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=9.4A
T
J
=125°C
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=8A
V
GS
= 2.5V ,我
D
=6A
V
GS
= 1.8V ,我
D
=4A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=9.4A
二极管的正向电压
I
S
=1A
最大体二极管连续电流
±12
0.5
30
11
14.3
12.6
16.5
23.4
37
0.72
1
3
1810
V
GS
=0V, V
DS
= 10V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
232
200
1.6
17.9
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ,我
D
=9.4A
1.5
4.7
3.3
V
GS
=10V, V
DS
= 10V ,R
L
=1.1Ω,
R
=3Ω
I
F
=输出高达9.4A ,的di / dt = 100A / μs的
5.9
44
7.7
22
8.6
14
17
16
22
30
0.75
1
20
10
25
±10
典型值
最大
单位
V
µA
µA
V
V
A
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
BV
GSO
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
栅源击穿电压
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=输出高达9.4A ,的di / dt = 100A / μs的
2
答: R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
10秒热阻率。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性1〜6使用80获得
µs
脉冲占空比0.5 %以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
启3 : 2005年9月
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