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AO4807_11 参数 Datasheet PDF下载

AO4807_11图片预览
型号: AO4807_11
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内容描述: 双路30V P沟道MOSFET [30V Dual P-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 623 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4807
双路30V P沟道MOSFET
概述
该AO4807采用先进的沟槽技术,提供
优秀的研发
DS ( ON)
,和超低低栅极电荷。这
装置适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
产品概述
V
DS
I
D
(在V
GS
=-10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
= -4.5V)
-30V
-6A
< 35mΩ
< 58mΩ
100 % UIS测试
100% R
g
经过测试
SOIC-8
顶视图
底部
顶视图
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
D1
D2
G1
S1
G2
S2
Pin1
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大
-30
±20
-6
-5
-30
23
26
2
1.3
-55到150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°
C
V
GS
C
T
A
=25°
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
雪崩能量L = 0.1mH
T
A
=25°
C
功耗
B
T
A
=70°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
32
最大
62.5
90
40
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
第6版: 2011年11月
www.aosmd.com
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