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AO4803_11 参数 Datasheet PDF下载

AO4803_11图片预览
型号: AO4803_11
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内容描述: 双路30V P沟道MOSFET [30V Dual P-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 614 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4803
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-15V
I
D
=-5A
8
600
电容(pF)
-V
GS
(伏)
6
500
400
300
C
OSS
200
2
100
0
0
4
6
8
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
2
10
0
0
C
RSS
10
15
20
25
-V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
30
C
国际空间站
800
700
4
100.0
-I
AR
(A )峰值雪崩电流
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=150°C
100.0
10µs
10.0
-I
D
(安培)
T
A
=125°C
10.0
R
DS ( ON)
有限
100µs
1ms
10ms
1.0
0.1
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
DC
10s
1.0
10
100
1000
在雪崩时间t
A
(µs)
µ
图9 :单脉冲雪崩能力(注三)
1
0.0
0.01
1
10
-V
DS
(伏)
图10 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
0.1
100
10000
T
A
=25°C
1000
功率(W)的
100
10
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度(S )
图11 :单脉冲功率额定值结到环境(注F)
第七版: 2011年11月
www.aosmd.com
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