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AO4771 参数 Datasheet PDF下载

AO4771图片预览
型号: AO4771
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内容描述: 30V P沟道MOSFET [30V P-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 297 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4771
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-15V
I
D
=-4A
电容(pF)
400
C
国际空间站
300
8
-V
GS
(伏)
6
200
4
2
100
C
RSS
C
OSS
0
0
1
2
3
4
5
6
-Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
0
0
15
20
25
-V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
100.0
10000
T
J(下最大)
=150°
C
C
T
A
=25°
10.0
10µs
100µs
1ms
10ms
功率(W)的
1000
-I
D
(安培)
R
DS ( ON)
有限
1.0
100
0.1
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10
DC
10s
1
0.0
0.01
0.1
1
-V
DS
(伏)
10
100
0.000001
0.0001
0.01
1
100
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注F)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=90°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
T
on
T
版本1 : 2010年11月
www.aosmd.com
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