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AO4720_10 参数 Datasheet PDF下载

AO4720_10图片预览
型号: AO4720_10
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内容描述: 30V N沟道MOSFET [30V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 204 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4720
典型的电气和热特性
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
电容(pF)
V
GS
(伏)
V
DS
=15V
I
D
=13A
2000
1600
1200
C
国际空间站
800
400
C
RSS
0
0
15
20
25
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
C
OSS
动力参数
1000.0
100.0
I
D
(安培)
10.0
1ms
1.0
0.1
0.0
0.1
1
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
10
100
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
DC
100
80
功率(W)的
60
40
20
0
0.0001
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
R
DS ( ON)
有限
10µs
100µ
10ms
1s
10s
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度(S )
Figure10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°C/W
0.01
0.1
1
P
D
T
on
T
100
1000
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注五)
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