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型号: AO4714
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 134 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4714
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
(伏)
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
12000
10000
电容(pF)
V
DS
=15V
I
D
=20A
8000
6000
4000
C
RSS
2000
0
0
15
20
25
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
C
OSS
C
国际空间站
1000.0
T
J(下最大)
= 150 ° (C T)
A
=25°C
100.0
I
D
(安培)
10.0
1.0
0.1
0.0
0.1
1
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
10
100
R
DS ( ON)
有限
10µs
100µ
1ms
0.1s
1s
100
90
80
70
功率(W)的
60
50
40
30
20
10
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10s
DC
脉冲宽度(S )
Figure10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=41°C/W
0.001
0.01
0.1
1
P
D
T
on
T
100
1000
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注五)
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