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AO4712 参数 Datasheet PDF下载

AO4712图片预览
型号: AO4712
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内容描述: 30V N沟道MOSFET [30V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 283 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4712
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=13A
电容(pF)
1500
C
国际空间站
1200
8
V
GS
(伏)
6
900
4
600
C
OSS
300
C
RSS
2
0
0
10
15
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
5
20
0
0
10
15
20
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
25
1000.0
100.0
10000
I
D
(安培)
功率(W)的
10.0
1.0
0.1
0.0
R
DS ( ON)
有限
10µs
100µs
1ms
10ms
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10s
DC
1000
100
T
A
=25°C
10
1
0.01
0.1
1
V
DS
(伏)
10
100
0.00001
图10 :最大正向偏置
安全工作区(注F)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°C/W
0.1
1000
脉冲宽度(S )
10
图11 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注F)
0.001
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图12 :归最大瞬态热阻抗(注F)
T
on
0.01
T
启8 : 2011年12月
www.aosmd.com
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