AO4704L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4704L
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内容描述：	N沟道增强型场效应晶体管，肖特基二极管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode]
分类和应用：	晶体肖特基二极管晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 158 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4704

N沟道增强型场效应晶体管与

肖特基二极管

概述

该AO4704采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，直通免疫力，

体二极管characteristics.This装置适用于

使用如在PWM应用一个同步开关。

在共同封装的肖特基二极管提高了效率

进一步。

AO4704是Pb-free （符合ROHS &索尼

259规格）。 AO4704L是一个绿色产品

订购选项。 AO4704和AO4704L是

电相同。

特点

(V) = 30V

= 13 A（V

= 10V)

DS （ ON）

< 11.5mΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

< 13mΩ （V

= 4.5V)

肖特基

VDS （V）= 30V， IF = 3A， VF<0.5V@1A

SOIC-8

S / A

D / K

绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明

符号

参数

MOSFET

漏源电压

栅源电压

±12

=25°C

连续漏电流

=70°C

10.4

漏电流脉冲

肖特基反向电压

连续正向电流

脉冲二极管正向电流

功耗

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

3.1

-55到150

肖特基

单位

4.4

3.2

3.1

-55到150

°C

结温和存储温度范围

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