欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AO4706_10 参数 Datasheet PDF下载

AO4706_10图片预览
型号: AO4706_10
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 30V N沟道MOSFET [30V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 213 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
 浏览型号AO4706_10的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AO4706_10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO4706_10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO4706_10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO4706_10的Datasheet PDF文件第6页  
AO4706
典型的电气和热特性
1.0E-01
0.9
0.8
1.0E-02
VDS=24V
V
SD
(V)
1.0E-03
I
R
(A)
VDS=12V
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
1.0E-05
0.1
0
100
150
200
温度(℃)
图12 :二极管反向漏电流 -
结温
60
50
40
Q
rr
( NC )
30
QRR
20
IRM
10
0
0
5
10
15
20
25
30
是( A)
图14 :二极管的反向恢复电荷和
峰值电流与传导电流
25ºC
di/dt=1000A/us
125ºC
15
25ºC
125ºC
12
TRR ( NS )
IRM ( A)
9
6
3
0
3
0
0
5
10
15
20
25
30
是( A)
图15 :二极管的反向恢复时间和
软系数与传导电流
S
125ºC
0
12
9
6
25ºC
0.5
18
0
50
0
100
150
200
温度(℃)
图13 :二极管的正向电压与结
温度
2.5
di/dt=1000A/us
125ºC
2
1.5
1
S
2.5
125ºC
Is=20A
25ºC
2
1.5
TRR
S
125ºC
1
0.5
1000
0
1200
50
I
S
=1A
10A
5A
20A
1.0E-04
1.0E-06
15
TRR
25ºC
50
45
40
35
Q
rr
( NC )
30
25
20
15
10
5
0
0
200
400
600
800
1000
IRM
QRR
25ºC
125º
Is=20A
125ºC
25ºC
15
12
9
6
3
0
1200
27
24
21
18
TRR ( NS )
15
12
9
6
3
0
0
200
400
600
800
25ºC
IRM ( A)
的di / dt ( A)
图16 :二极管的反向恢复电荷和
峰值电流和di / dt的
的di / dt ( A)
图17 :二极管的反向恢复时间和软
系数主场迎战di / dt的
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
S