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AO4700L 参数 Datasheet PDF下载

AO4700L图片预览
型号: AO4700L
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内容描述: N沟道增强型场效应晶体管,肖特基二极管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode]
分类和应用: 晶体肖特基二极管晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 165 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4700
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=6.9A
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=5.0A
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=6.9A
10
二极管的正向电压
I
S
=1A
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
20
22.5
31.3
34.5
15.4
0.76
1
3
680
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
102
77
3
13.84
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,我
D
=6.9A
6.74
1.82
3.2
4.6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=2.2Ω,
R
=3Ω
I
F
= 6.9A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 6.9A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
=3.0A
V
R
=24V
V
R
= 24V ,T
J
=125°C
V
R
= 24V ,T
J
=150°C
C
T
结电容
V
R
=15V
4.1
20.6
5.2
16.5
7.8
0.45
0.07
4.2
15
120
0.5
0.15
20
60
pF
mA
28
38
42
1.9
30
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
肖特基参数
V
F
正向电压降
I
rm
最大反向漏电流
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是基于吨
10秒热阻率。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性1〜6使用80获得
µs
脉冲占空比0.5 %以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
启3 : 2005年9月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。