AO4625 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4625
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内容描述：	互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 167 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4625

互补增强型场效应晶体管

概述

该AO4625采用先进的沟槽

技术MOSFET，以提供出色的

DS （ ON）

和低栅极电荷。该

互补的MOSFET可被用于

电源逆变器，以及其他

applications.Standard

产品AO4625是有铅

免费（符合ROHS &索尼259

规范）。 AO4625L是一个绿色产品

订购选项。 AO4625和AO4625L是

电相同。

特点

N沟道

P沟道

(V) = 30V

-30V

= 6.9A （V

=10V)

-5.4A （V

= -10V)

DS （ ON）

< 28mΩ （V

=10V)

< 45mΩ （V

= -10V)

< 42mΩ （V

=4.5V)

< 75mΩ （V

= -4.5V)

SOIC-8

N沟道

P沟道

最大的p沟道

-30

±20

-5.4

-4.6

-20

1.44

-55到150

°C

单位

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

最大的n沟道

漏源电压

栅源电压

±20

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

6.9

5.8

1.44

-55到150

结温和存储温度范围

热特性： n沟道和p沟道

参数

≤

10s

最大结点到环境

稳态

最大结点到环境

稳态

最大结对铅

≤

10s

最大结点到环境

稳态

最大结点到环境

稳态

最大结对铅

符号

θJA

θJL

θJA

θJL

设备

N沟道

P沟道

典型值

最大

62.5

110

单位

° C / W

62.5 ° C / W

110℃ / W

40 ºC / W

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