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    AO4624_09 参数 Datasheet PDF下载

    AO4624_09图片预览
    型号： AO4624_09
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 9 页 / 260 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AO4624_09的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO4624_09的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO4624_09的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO4624_09的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AO4624_09的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AO4624_09的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AO4624_09的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AO4624_09的Datasheet PDF文件第9页  
    AO4624
    互补增强型场效应晶体管
    概述
    该AO4624 / L采用先进沟道
    技术MOSFET，以提供出色的
    R
    DS （ ON）
    和低栅极电荷。该
    互补的MOSFET可用于
    形成了电平偏移的高侧开关，及一
    许多其它的应用程序。 AO4624和
    AO4624L是电相同。
    -RoHS标准
    -AO4624L是无卤
    特点
    N沟道
    V
    DS
    (V) = 30V
    I
    D
    = 6.9A （V
    GS
    =10V)
    R
    DS （ ON）
    < 28mΩ （V
    GS
    =10V)
    < 42mΩ （V
    GS
    =4.5V)
    P沟道
    -30V
    -6A （V
    GS
    =-10V)
    R
    DS （ ON）
    < 35mΩ （V
    GS
    = -10V)
    < 58mΩ （V
    GS
    = -4.5V)
    100 ％ UIS测试！
    100 ％通过Rg测试！
    SOIC-8
    D2
    S2
    G2
    S1
    G1
    1
    2
    3
    4
    8
    7
    6
    5
    D2
    D2
    D1
    D1
    G2
    G1
    S2
    D1
    SOIC-8
    顶视图
    底部视图
    S1
    N沟道
    P沟道
    绝对最大额定值牛逼
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    参数
    符号
    最大的n沟道
    漏源电压
    V
    DS
    30
    栅源电压
    连续漏极
    当前
    A
    漏电流脉冲
    B
    T
    A
    =25°C
    功耗
    雪崩电流
    B
    重复雪崩能量0.1mH
    B
    最大的p沟道
    -30
    ±20
    -6
    -5
    -30
    2
    1.44
    20
    20
    -55到150
    单位
    V
    V
    A
    V
    GS
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =70°C
    I
    D
    I
    DM
    T
    A
    =70°C
    P
    D
    I
    AR
    E
    AR
    T
    J
    , T
    英镑
    ±20
    6.9
    5.8
    30
    2
    1.44
    15
    11
    -55到150
    W
    A
    mJ
    °C
    结温和存储温度范围
    热特性： n沟道和p沟道
    参数
    T = 10秒
    最大结点到环境
    A
    A
    稳态
    最大结点到环境
    稳态
    最大结对铅
    C
    A
    T = 10秒
    最大结点到环境
    A
    稳态
    最大结点到环境
    C
    稳态
    最大结对铅
    符号
    R
    θJA
    R
    θJL
    R
    θJA
    R
    θJL
    设备
    N沟道
    N沟道
    N沟道
    P沟道
    P沟道
    P沟道
    典型值
    48
    74
    35
    48
    74
    35
    最大
    62.5
    110
    40
    单位
    ° C / W
    ° C / W
    ° C / W
    62.5 ° C / W
    110℃ / W
    40 ºC / W
    阿尔法&欧米茄半导体有限公司

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