AO4622_10 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4622_10
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内容描述：	双路20V P N沟道MOSFET [20V Dual P N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 257 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4622

双路20V P + N沟道MOSFET

概述

该AO4622采用先进的沟槽技术

MOSFET，以提供优秀的研发

DS （ ON）

和低门

费。所述互补的MOSFET ，可以使用

以形成一个电平移位的高侧开关，及一

许多其它的应用程序。

产品概述

N沟道

P沟道

(V) = 20V

-20V

-5A （V

=-4.5V)

= 7.3A （V

=4.5V)

DS （ ON）

< 23mΩ （V

=10V)

< 53mΩ （V

= -4.5V)

< 87mΩ （V

= -2.5V)

30mΩ到< （V

=4.5V)

< 84mΩ （V

=2.5V)

100 ％ UIS测试

100 ％通过Rg测试

100 ％ UIS测试

100 ％通过Rg测试

SOIC-8

顶视图

底部视图

顶视图

Pin1

N沟道

P沟道

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

最大的n沟道

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

=25°

功耗

雪崩电流

重复雪崩能量0.3mH

最大的p沟道

-20

±12

-5

-4.2

-25

1.44

-55到150

单位

=25°

=70°

, T

英镑

±16

7.3

6.2

1.44

-55到150

结温和存储温度范围

热特性： n沟道和p沟道

参数

≤

10s

最大结点到环境

稳态

最大结点到环境

稳态

最大结对铅

≤

10s

最大结点到环境

稳态

最大结点到环境

稳态

最大结对铅

符号

θJA

θJL

θJA

θJL

设备

N沟道

P沟道

典型值

最大

62.5

110

62.5

110

单位

C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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