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AO4619图片预览
型号: AO4619
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内容描述: 互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 149 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4619
互补增强型场效应晶体管
概述
该AO4619采用先进的沟槽
技术MOSFET,以提供出色的
R
DS ( ON)
和低栅极电荷。该
互补的MOSFET可被用于
逆变器和其它应用程序。
标准
产品AO4619是无铅的(符合ROHS
&索尼259规格) 。
特点
N沟道
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 7.4A (V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
< 24mΩ (V
GS
=10V)
< 36mΩ (V
GS
=4.5V)
P沟道
-30V
-5.2A (V
GS
= -10V)
R
DS ( ON)
< 48米
(V
GS
= -10V)
< 74米
(V
GS
= -4.5V)
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
G2
D2
D1
SOIC-8
S2
G1
S1
N沟道
P沟道
最大的p沟道
-30
±20
-5.2
-4.2
-25
2
1.3
11
18
-55到150
W
A
mJ
°C
A
单位
V
V
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最大的n沟道
符号
V
DS
漏源电压
30
V
GS
栅源电压
±20
连续漏极
当前
F
漏电流脉冲
功耗
A
B
B
B
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
I
AR
E
AR
T
J
, T
英镑
7.4
6
35
2
1.3
13
25
-55到150
雪崩电流
重复雪崩能量0.3mH
结温和存储温度范围
热特性: n沟道和p沟道
参数
t
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
A
C
稳态
最大结对铅
A
t
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
设备
N沟道
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
P沟道
典型值
50
82
41
50
82
41
最大
62.5
110
50
62.5
110
50
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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