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AO4618 参数 Datasheet PDF下载

AO4618图片预览
型号: AO4618
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内容描述: 40V互补MOSFET [40V Complementary MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 1175 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4618
P沟道电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
-40
-1
典型值
最大
单位
V
-5
±100
-1.7
-35
19
23
34
30
-1
-2.5
1870
V
GS
=0V, V
DS
= -20V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
2.2
185
155
4.5
32
V
GS
=10V, V
DS
= -20V ,我
D
=-7A
8
7.6
6.2
10
V
GS
=10V, V
DS
= -20V ,R
L
=3Ω,
R
=3Ω
18
6.8
45
-1.9
-3
µA
nA
V
A
28
24
26
-0.74
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-40V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250µA
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ,我
D
=-7A
T
J
=125°C
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-4A
V
DS
= -5V ,我
D
=-7A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
38
24
13
33
ns
ns
ns
nC
I
F
= -7A ,的di / dt = 500A / μs的
体二极管反向恢复电荷我
F
= -7A ,的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 150℃,使用
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
= 150℃。额定值基于低频和占空比,以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 〜6使用<300μs脉冲占空比0.5 %最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
2盎司铜,假设T的最高结温
J(下最大)
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
冯0 : 2011年12月
www.aosmd.com
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