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AO4614B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AO4614B
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内容描述: 互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 222 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4614B
P沟道电气特性(T = 25 ° C除非另有说明)
J
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
= -40V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
= -250µA
V
GS
= -10V, V
DS
= -5V
V
GS
= -10V ,我
D
= -5A
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -4A
正向跨导
V
DS
= -5V ,我
D
= -5A
二极管的正向电压
I
S
= -1A ,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
-1.7
-30
36
52
50
13
-0.76
-1
-2
940
V
GS
=0V, V
DS
= -20V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
97
72
14
17
V
GS
= -10V, V
DS
= -20V,
I
D
= -5A
7.9
3.4
3.2
6.2
V
GS
= -10V, V
DS
= -20V ,R
L
=4Ω,
R
=3Ω
I
F
= -5A ,的di / dt = 100A / μs的
8.4
44.8
41.2
21
14
27
22
10
1175
45
65
63
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
mΩ
-2
-40
-1
-5
±100
-3
典型值
最大
单位
V
µA
nA
V
A
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( -10V )总栅极电荷
Q
g
( -4.5V )总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -5A ,的di / dt = 100A / μs的
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境与
2
答: R的值
θJA
在任何给定的应用程序依赖鄂嫩1英寸的FR- 4电路板的电路板设计。登静止空气environmenton的
A
= 25°C 。该
T
A
= 25°C 。与装置测得的值装入用户的特定使用2盎司铜,额定电流是基于以T
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
10秒热阻
t
10秒热阻率。
投资评级。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
9
B:重复是结宽度limitedimpedence的总和带领R和导致环境。
C.第r
θJA
评级,脉热通过结温。
θJL
12
C.第r
θJA
ischaracteristics图1至6,12,14得到usingR
θJL
并导致环境。 0.5 %以下。
D.静态的热阻抗的总和,从交界处领导<300
µs
脉冲占空比
2
D.静态特性与1〜 6,12,14都是obtainedFR - 4板2盎司铜,在静止空气环境与
E.这些测试中使用80进行设备安装在图1
µs
脉冲占空比0.5 %以下。
2
E.
A
= 25°C 。在与该单脉冲等级进行。 1 FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
牛逼这些测试SOA曲线提供了一种装置,安装在
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
REV0 : 2007年9月
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