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AO4614B_11 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AO4614B_11
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内容描述: 双路40V P N沟道MOSFET [40V Dual P N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 238 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4614B
双路40V P + N沟道MOSFET
概述
该AO4614B采用先进沟道技术
MOSFET,以提供优秀的研发
DS ( ON)
和低门
费。所述互补的MOSFET ,可以使用
在H桥,逆变器和其他应用程序。
产品概述
N沟道
V
DS
(V) = 40V,
I
D
= 6A (V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
30mΩ到< (V
GS
=10V)
< 38mΩ (V
GS
=4.5V)
100 % UIS测试
100 %通过Rg测试
P沟道
-40V
-5A ( VGS = -10V )
< 45mΩ ( VGS = -10V )
< 63mΩ ( VGS = -4.5V )
100 % UIS测试
100 %通过Rg测试
SOIC-8
顶视图
底部视图
顶视图
S2
G2
S1
G1
Pin1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
D2
D1
G2
S2
G1
S1
N沟道
P沟道
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
雪崩电流
B
重复雪崩能量L = 0.1mH
功耗
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
B
B
最大的n沟道
40
±20
6
5
30
14
9.8
2
1.28
-55到150
最大的p沟道
-40
±20
-5
-4
-30
-20
20
2
1.28
-55到150
单位
V
V
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
A
mJ
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性: n沟道和p沟道
参数
t
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
A
t
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
设备
N沟道
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
P沟道
典型值
48
74
35
48
74
35
最大
62.5
110
50
62.5
110
50
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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