AO4611_10 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4611_10
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内容描述：	双路60V P N沟道MOSFET [60V Dual P N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 219 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4611

双路60V P + N沟道MOSFET

概述

该AO4611采用先进的沟槽技术

MOSFET，以提供优秀的研发

DS （ ON）

低

栅极电荷。互补MOSFET的可能

可用于形成一个电平移位的高侧开关，

和许多其它的应用程序。

产品概述

N沟道

(V) = 60V

= 6.3A （V

=10V)

DS （ ON）

< 25MΩ （V

=10V)

30mΩ到< （V

=4.5V)

100 ％ UIS测试

100 ％通过Rg测试

P沟道

-60V

-4.9A

< 42mΩ （V

= -10V)

< 52mΩ （V

= -4.5V)

100 ％ UIS测试

100 ％通过Rg测试

SOIC-8

顶视图

底部视图

顶视图

Pin1

N沟道

P沟道

单位

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

最大的n沟道

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大的p沟道

-60

±20

-4.9

-3.9

-30

1.28

-55到150

=25°

=70°

=25°

=70°

, T

英镑

±20

6.3

1.28

-55到150

结温和存储温度范围

热特性： n沟道和p沟道

参数

≤

10s

最大结点到环境

稳态

最大结点到环境

稳态

最大结对铅

≤

10s

最大结点到环境

稳态

最大结点到环境

稳态

最大结对铅

符号

θJA

θJL

θJA

θJL

设备

N沟道

P沟道

典型值

最大

62.5

110

62.5

110

单位

C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

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