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AO4610 参数 Datasheet PDF下载

AO4610图片预览
型号: AO4610
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内容描述: 互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 209 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4610
P沟道电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250µA
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ,我
D
=-7.1A
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-5.6A
正向跨导
V
DS
= -5V ,我
D
=-7.1A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
-1.4
-30
20
27
29
19.6
-0.7
-1
-4.2
1573
V
GS
=0V, V
DS
= -15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
319
211
6.7
30.9
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ,我
D
=-7.1A
16.1
8
4.4
9.5
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ,R
L
=2.2Ω,
R
=3Ω
I
F
= -7.1A ,的di / dt = 100A / μs的
8
44.2
22.2
25.5
14.7
25
33
40
-2
-30
-1
-5
±100
-2.7
典型值
最大
单位
V
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷( 10V )
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷( 4.5V )
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -7.1A ,的di / dt = 100A / μs的
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何一个givenapplication价值取决于用户的具体电路板设计。的电流额定值是基于TT
10秒热阻
agiven应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是基于
10秒热阻
投资评级。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1〜 6,12,14使用80获得
µs
脉冲占空比0.5 %以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
启4 : 2005年7月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法欧米茄半导体有限公司