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AO4607L 参数 Datasheet PDF下载

AO4607L图片预览
型号: AO4607L
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内容描述: 互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 197 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4607
典型的电和热性能:N - CHANNEL
10
8
V
GS
(伏)
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
1000
V
DS
=15V
I
D
=6.9A
电容(pF)
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
C
OSS
( FET +肖特基)
C
国际空间站
f=1MHz
V
GS
=0V
V
DS
(伏)
图8 :电容特性: MOSFET +
并联肖特基
40
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
100
R
DS ( ON)
有限
I
D
(安培)
10
1ms
10ms
0.1s
1
1s
10s
0.1
0.1
1
V
DS
(伏)
DC
10
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
100µs
10µs
功率W
30
20
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
T
100
1000
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
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