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AO4600 参数 Datasheet PDF下载

AO4600图片预览
型号: AO4600
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内容描述: 互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 7 页 / 268 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4600
N沟道MOSFET的电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=6.9A
T
J
=125°C
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=6.0A
V
GS
= 2.5V ,我
D
=5A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=5A
12
0.7
25
22.6
33
27
42
16
0.71
1
3
858
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
110
80
1.24
9.6
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ,我
D
=6.9A
1.65
3
5.7
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=2.2Ω,
R
=6Ω
I
F
= 5A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 5A ,的di / dt = 100A / μs的
13
37
4.2
15.5
7.9
20
4
12
1050
27
40
32
50
1
30
1
5
100
1.4
典型值
最大
单位
V
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
二极管的正向电压
I
S
=1A
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是基于吨
10秒热阻率。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性1〜6使用80获得
µs
脉冲占空比0.5 %以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
启4 : 2005年9月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知
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