AO4485 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4485
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内容描述：	P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 206 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4485

典型的电气和热特性

120

100

(A)

-V

（伏）

图1 ：在区域特征

DS （ ON）

Ω

)

= -10V

= -4.5V

归一化的导通电阻

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

100

125

150

175

温度（℃）

图4 ：导通电阻与结

温度

1E+02

= -10A

DS （ ON）

Ω

)

125°C

1E+01

1E+00

-I

(A)

1E-01

= -10V

= -10A

= -4.5V

= -7.5A

-3.5V

-4.5V

-10V

-4V

(A)

100

= -5V

125°C

25°C

1.5

2.5

3.5

4.5

-V

（伏）

图2 ：传输特性

= -3V

=-6.5A,

dI/dt=100A/µs

-I

(A)

图3 ：导通电阻与漏电流和

栅极电压

125°C

1E-02

本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键

生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任ARISIN

1E-03

25°C

的15

此类应用及其产品的使用。 AOS保留改进产品设计的权利，

1E-04

性能和可靠性，恕不另行通知。

-V

（伏）

图5 ：导通电阻与栅源电压

1E-05

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

-V

（伏）

图6 ：体二极管的性能

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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