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AO4484_10 参数 Datasheet PDF下载

AO4484_10图片预览
型号: AO4484_10
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内容描述: 40V N沟道MOSFET [40V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 185 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4484
40V N沟道MOSFET
概述
该AO4484采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
低栅极电荷。这是
的所有目的设备适合于使用在一个宽
各种电源转换应用。
产品概述
V
DS
(V) = 40V
I
D
= 10A
R
DS ( ON)
< 10米
R
DS ( ON)
< 12米
(V
GS
= 10V)
(V
GS
= 10V)
(V
GS
= 4.5V)
100 % UIS测试
100 %通过Rg测试
SOIC-8
顶视图
D
D
D
D
底部视图
D
G
S
S
S
G
S
绝对最大额定值牛逼
J
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
10秒
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
A
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
G
重复雪崩能量L = 0.3mH
T
A
=25°
C
A
功耗
T
A
=70°
C
G
B
稳定状态
40
±20
10
8
120
23
79
单位
V
V
V
GS
C
T
A
=25°
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
3.1
2.0
13.5
10.8
A
mJ
1.7
1.1
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
-55到150
符号
t
10s
稳定状态
稳定状态
R
θJA
R
θJL
典型值
31
59
16
最大
40
75
24
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com