AO4480 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4480
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 137 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4480

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

该AO4480采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷。这是ESD

受保护的。此装置适合于用作低侧

在开关SMPS和通用的应用程序。

标准产品AO4480是Pb-free （符合ROHS &

索尼259规格）。

特点

(V) = 40V

= 14A （V

= 10V)

DS （ ON）

< 11.5mΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

< 15.5mΩ （V

= 4.5V)

ESD额定值： HBM 4KV

UIS测试

RG ，西塞，科斯，测试的Crss

SOIC-8

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

=25°C

功耗

雪崩电流

=70°C

最大

±20

3.1

2.0

135

-55到150

单位

=25°C

=70°C

帝斯曼

, T

英镑

°C

重复雪崩能量0.3mH

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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