AO4478L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4478L
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 208 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4478L

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

该AO4478L采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷。这

设备是适合用作一般puspose ， PWM和

负荷开关应用。

-RoHS标准

卤素免费

特点

(V) = 30V

= 9A （V

= 10V)

DS （ ON）

<19mΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

<26mΩ （V

= 4.5V)

100 ％ UIS测试！

100 ％通过Rg测试！

SOIC-8

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

最大

±25

9.0

7.0

3.1

2.0

-55到150

单位

=25°C

=70°C

IAR

EAR

, T

英镑

雪崩电流

重复雪崩能量L = 0.1mH

=25°C

功耗

=70°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

°C

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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