AO4466_12 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4466_12
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内容描述：	30V N沟道MOSFET [30V N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 411 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4466

典型的电气和热特性

（伏）

（ NC ）

图7 ：栅极电荷特性

=15V

=10A

电容（pF）

600

500

国际空间站

400

300

200

OSS

100

RSS

（伏）

图8 ：电容特性

100.0

，峰值雪崩电流（ A）

按降序排列

=25°C, 100°C, 125°C,

100.0

10µs

10.0

（安培）

100µs

DS （ ON）

有限

1.0

100

1000

0.1

J（下最大）

=150°C

=25°C

（伏）

1ms

10ms

100ms

10s

100

在Avalache ， t时间

（女士）

图9 ：单脉冲雪崩能力

图10 ：最大正向偏置安全

工作区（注五）

J（下最大）

=150°C

=25°C

功率（W）的

0.0001

0.01

100

脉冲宽度（S ）

图11 ：单脉冲功率额定值结到环境（注E）

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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