AO4447AL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4447AL
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内容描述：	P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 167 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4447AL

P沟道增强型场效应晶体管

概述

该AO4447AL采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

低门charge.This

器件理想用于负载开关和电池保护

应用程序。

-RoHS标准

卤素免费

特点

(V) = -30V

= -17A

DS （ ON）

< 7MΩ

DS （ ON）

< 8mΩ

DS （ ON）

< 9mΩ

= -10V)

= -4.5V)

= -4V)

ESD保护！

SOIC-8

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

-30

±20

-17

-13

-160

3.1

2.0

-55到150

典型值

最大

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

符号

°C

单位

° C / W

结温和存储温度范围

参数

最大结点到环境

最大结对铅

≤

10s

稳定状态

θJA

θJL

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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