AO4447_10 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4447_10
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内容描述：	30V P沟道MOSFET [30V P-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 174 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4447

30V P沟道MOSFET

概述

该AO4447采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和超低低栅极

费。此装置适合于用作负载

开关。该设备的ESD保护。

产品概述

(V) = -30V

= -15 （V

= -10V)

最大ř

DS （ ON）

< 7.5mΩ （V

= -10V)

最大ř

DS （ ON）

< 12mΩ （V

= -4V)

ESD额定值： HBM 4KV

100 ％ UIS测试

100 ％通过Rg测试

SOIC-8

顶视图

底部视图

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

最大

-30

±20

-15

-13.6

-60

240

3.1

-55到150

单位

=25°

=70°

, T

英镑

重复雪崩能量L = 0.3mH

=25°

功耗

=70°

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

单位

C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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