欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AO4443L 参数 Datasheet PDF下载

AO4443L图片预览
型号: AO4443L
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 113 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
 浏览型号AO4443L的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AO4443L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO4443L的Datasheet PDF文件第3页  
AO4443
典型的电和热性能: P- CHANNEL
10
V
DS
=-40V
I
D
=-6A
电容(pF)
1000
C
国际空间站
800
600
400
200
0
0
3
6
9
12
15
0
10
20
30
40
-V
DS
(伏)
图8 :电容特性
8
-V
GS
(伏)
6
4
C
OSS
C
RSS
2
0
-Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
100.0
T
J(下最大)
= 150℃ ,T
A
=25°C
R
DS ( ON)
有限
40
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
1ms
10ms
1.0
1s
10s
0.1
0.1
1
-V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
10
100
DC
0.1s
功率(W)的
-I
D
(安培)
10.0
100µs
10µs
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=40°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司