AO4441
P沟道电气特性（T = 25 ° C除非另有说明）
J
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-48V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250µA
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-4A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3A
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-4A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
-1
-20
80
130
102
10
-0.77
-1
-4
930
V
GS
=0V, V
DS
= -30V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
85
35
7.2
16
V
GS
=-10V, V
DS
= -30V ，我
D
=-4A
8
2.5
3.2
8
V
GS
=-10V, V
DS
= -30V ，R
L
=7.5Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= -4A ，的di / dt = 100A / μs的
3.8
31.5
7.5
27
32
35
9
20
10
1120
130
100
-2.1
民
-60
-1
-5
±100
-3
典型值
最大
单位
V
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷（ 10V ）
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷（ 4.5V ）
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -4A ，的di / dt = 100A / μs的
2
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何IEN应用价值取决于用户的具体电路板设计。 ratingbased上10s内热阻当前
给定的应用取决于用户的具体电路板设计。目前的评级是基于吨
≤
t
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1〜 6,12,14使用80获得
µs
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
版本1 ： 2005年9月
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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