AO4435 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4435
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内容描述：	30V P沟道MOSFET [30V P-Channel MOSFET]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	5 页 / 196 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4435

30V P沟道MOSFET

概述

该AO4435采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，和超低低栅极电荷

用25V的栅极评级。这个装置是适合于用作

负载开关或PWM应用。

-RoHS标准

-AO4435是无卤

产品概述

= -30V

= -10.5A

DS （ ON）

< 14米

DS （ ON）

< 18米

DS （ ON）

< 36米

= -20V)

= -10V)

= -5V)

100 ％ UIS测试

100 ％通过Rg测试

SOIC-8

顶视图

底部视图

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

雪崩电流

重复雪崩能量0.3mH

最大

-30

±25

-10.5

-8

-80

3.1

2.0

-20

-55到150

单位

=25°

=70°

=25°

=70°

, T

英镑

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳定状态

θJA

θJL

典型值

最大

单位

C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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