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AO4418图片预览
型号: AO4418
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 110 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4418
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO4418采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。这
装置适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
标准产品AO4418是Pb-free
(符合ROHS &索尼259规格) 。 AO4418L
是一种绿色产品订购选项。 AO4418和
AO4418L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 11.5A (V
GS
= 20V)
R
DS ( ON)
< 14mΩ (V
GS
= 20V)
R
DS ( ON)
< 17mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 40MΩ (V
GS
= 4.5V)
D
S
S
S
G
D
D
D
D
G
S
SOIC-8
绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
A
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
T
A
=25°C
A
当前
I
D
T
A
=70°C
漏电流脉冲
功耗
B
最大
30
±25
11.5
9.7
40
3
2.1
-55到150
单位
V
V
A
I
DM
T
A
=25°C
T
A
=70°C
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
A
最大结点到环境
A
最大结点到环境
C
最大结对铅
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
31
59
16
最大
40
75
24
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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