AO4419 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4419
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内容描述：	30V P沟道MOSFET [30V P-Channel MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 274 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4419

30V P沟道MOSFET

概述

该AO4419结合了先进的沟槽MOSFET

技术具有低电阻包提供

非常低R

DS （ ON）

。该器件非常适用于负荷开关

和电池保护的应用程序。

产品概述

（在V

=-10V)

DS （ ON）

（在V

=-10V)

DS （ ON）

（在V

= -4.5V)

-30V

-9.7A

＆ LT ; 20MΩ

< 35mΩ

100 ％ UIS测试

100% R

经过测试

SOIC-8

顶视图

底部视图

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

最大

-30

±20

-9.7

-7.8

-70

-27

3.1

-55到150

单位

=25°

=70°

, I

, E

, T

英镑

雪崩能量L = 0.1mH

=25°

功耗

=70°

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

A D

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

单位

C / W

第6版： 2011年5月

www.aosmd.com

第1页6

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