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AO4410_10 参数 Datasheet PDF下载

AO4410_10图片预览
型号: AO4410_10
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内容描述: 30V N沟道MOSFET [30V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 185 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4410
30V N沟道MOSFET
概述
该AO4410采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,直通免疫力,
体二极管的特性和超低栅极
性。此装置非常适合于用作
在笔记本电脑CPU内核电源低压侧开关
转换。
产品概述
V
DS
(V) = 30V
(V
GS
= 10V)
I
D
= 18A
R
DS ( ON)
< 5.5mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 6.2mΩ (V
GS
= 4.5V)
100 % UIS测试
100 %通过Rg测试
SOIC-8
顶视图
D
D
D
D
底部视图
D
G
S
S
S
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
AF
漏电流脉冲
功耗
雪崩电流
B
重复雪崩能量0.3mH
B
结温和存储温度范围
热特性
参数
A
最大结点到环境
A
最大结点到环境
最大结对铅
C
B
最大
30
±12
18
15
80
3
2.1
30
135
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
I
AR
E
AR
T
J
, T
英镑
W
A
mJ
°
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
31
59
16
最大
40
75
24
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com