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AO4406AL 参数 Datasheet PDF下载

AO4406AL图片预览
型号: AO4406AL
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 6 页 / 154 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4406AL
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=12A
电容(pF)
1200
1000
C
国际空间站
800
600
400
200
0
0
6
8
10
12
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
2
4
14
0
C
RSS
15
20
25
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
C
OSS
8
V
GS
(伏)
6
4
2
0
60
I
D
(A ) ,峰值雪崩电流
50
40
30
20
10
0
0.000001
T
A
=150°C
T
A
=125°C
T
A
=25°C
1000.0
10µs
I
D
(安培)
100.0
10.0
1.0
0.1
0.0
0.1
1
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
10
100
T
A
=100°C
R
DS ( ON)
有限
10µs
100µs
1ms
10ms
100ms
DC
10s
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.00001
0.0001
0.001
在雪崩时间t
A
(s)
图12 :单脉冲雪崩能力
(注三)
1000
T
A
=25°C
100
功率(W)的
10
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图15 :单脉冲功率额定值结到环境(注F)
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