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AO4403 参数 Datasheet PDF下载

AO4403图片预览
型号: AO4403
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 214 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4403
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250µA
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ,我
D
=-6.1A
T
J
=125°C
49
76
11
-0.75
-0.7
-1
38
-30
-1
-5
±100
-1.3
46
70
61
117
-1
-4.2
典型值
最大
单位
V
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-5A
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-1A
V
DS
= -5V ,我
D
=-5A
正向跨导
I
S
=-1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
7
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
反向传输电容
C
RSS
栅极电阻
R
g
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D(上)
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D(关闭)
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
V
GS
=0V, V
DS
= -15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
940
104
73
6
9.4
2
3
7.6
8.6
44.7
16.5
22.7
15.9
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -15V ,我
D
=-5A
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ,R
L
=2.4Ω,
R
=6Ω
I
F
= -5A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
= -5A ,的di / dt = 100A / μs的
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
=25°C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
10S热
性的评价。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1〜 6,12,14使用80获得
µs
脉冲占空比0.5 %以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司